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Die globale Siliziumkarbidindustrie beschleunigt sich inmitten zunehmenden Wettbewerbs und der Umstrukturierung der Lieferkette

30.01.2026

Die globale Siliciumcarbid Die Siliziumkarbidindustrie (SiC) startet mit einer starken Dynamik ins Jahr 2026, die durch signifikante Kapazitätserweiterungen, technologische Fortschritte hin zu größeren Wafergrößen und eine sich neu gestaltende Wettbewerbslandschaft gekennzeichnet ist, da Unternehmen weltweit um Positionen in diesem wichtigen Halbleitersegment wetteifern.

Kapazitätserweiterung und Neugestaltung der globalen Präsenz
Eine Welle von Kapazitätserweiterungen prägt die aktuelle Phase der Branche. Eine Schlüsselentwicklung ist das strategische Bestreben chinesischer Unternehmen, Produktionsstätten im Ausland zu errichten. Die Tochtergesellschaft von Jingsheng Mechanical & Electrical hat kürzlich den Rohbau ihres neuen Werks in Malaysia fertiggestellt, das sich zu einem bedeutenden Produktionszentrum für 8-Zoll-SiC-Substrate entwickeln soll. Dieser Schritt unterstreicht den Trend zum Aufbau widerstandsfähiger Lieferketten und zum direkten Zugang zu globalen Märkten.

Gleichzeitig konsolidieren und optimieren internationale Unternehmen ihre globalen Fertigungsnetzwerke. STMicroelectronics hat umfassende Pläne zur Umstrukturierung seiner Fertigungskapazitäten in den nächsten drei Jahren angekündigt, mit einem besonderen Fokus auf die fortschrittliche Fertigungsinfrastruktur für 200-mm-SiC-Wafer. Auch große Hersteller wie ON Semiconductor treiben ihren Übergang zur 8-Zoll-Wafer-Produktion voran.

Technologische Entwicklung und Marktdiversifizierung
Die technologische Entwicklung der Branche geht eindeutig in Richtung größerer Durchmesser. Während 6-Zoll-Wafer weiterhin Standard sind, hält die 8-Zoll-Technologie Einzug in die Serienfertigung. Unternehmen richten ihren Blick bereits auf die nächste Entwicklungsstufe; so entwickelt beispielsweise das taiwanesische Unternehmen Shen Xin Materials 12-Zoll-Halbisolierungssubstrate für Spezialanwendungen in fortschrittlichen Gehäuse- und Wärmemanagementlösungen.

Die Marktnachfrage diversifiziert sich auch über den dominanten Sektor der Elektrofahrzeuge hinaus. Neue Anwendungsbereiche gewinnen an Bedeutung, darunter SiC für optische Wellenleiter in AR-Brillen und dessen Einsatz in Wärmemanagementlösungen für KI-Chips und fortschrittliche Gehäusetechnologien.

Veränderte Wettbewerbsdynamik und Lieferkettenstrategien
Die Wettbewerbslandschaft befindet sich im Wandel. Chinesische Hersteller haben ihre technischen Fähigkeiten rasant ausgebaut und durch die Nutzung integrierter inländischer Lieferketten beträchtliche Marktanteile gewonnen, insbesondere im Segment der 6-Zoll-Substrate. Internationale Hersteller wie STMicroelectronics und Infineon behaupten zwar ihre Führungsposition bei High-End-MOSFET-Produkten, sehen sich aber einem zunehmenden Wettbewerb ausgesetzt.

Dieses Umfeld führt zu strategischen Neuausrichtungen. ON Semiconductor beschleunigt den Übergang zu einem „Fab-Lite“-Fertigungsmodell, um die Wettbewerbsfähigkeit zu steigern. Andere Unternehmen, wie beispielsweise GlobalWafers aus Taiwan, setzen auf Kostenkontrolle und flexible Kapazitätserweiterung, um ihre Position auf Märkten außerhalb Chinas zu festigen.

Handels- und Weltmarktausblick
Der Welthandel mit Siliziumkarbid ist weiterhin rege und unterstreicht damit seine strategische Bedeutung. Der Gesamthandelswert für SiC erreichte 2022 rund 1,38 Milliarden US-Dollar. China ist der führende Exporteur, wobei auch Norwegen und Brasilien bedeutende Exporte tätigen. Zu den wichtigsten Importmärkten zählen die USA, Deutschland und Japan.

Die Branche dürfte auch in Zukunft ein nachhaltiges Wachstum verzeichnen. Marktanalysten prognostizieren für den globalen SiC-Markt von 2026 bis 2035 eine starke durchschnittliche jährliche Wachstumsrate von über 13,5 %, getrieben durch seine unersetzliche Rolle in der Leistungselektronik für Elektrofahrzeuge, erneuerbare Energien und industrielle Anwendungen.

Die Entwicklung der Branche ab 2026 wird durch das Zusammenspiel massiver Kapazitätsinvestitionen, des erfolgreichen Hochfahrens von Wafer-Technologien der nächsten Generation und der Fähigkeit der Unternehmen bestimmt, sich in einer zunehmend wettbewerbsintensiven und geopolitisch sensiblen globalen Lieferkette zurechtzufinden.