L'industrie du carbure de silicium entre dans une phase de transition critique, marquée par la maturation de la technologie et l'évolution des facteurs de demande.
L'industrie du carbure de silicium entre dans une phase de transition critique, marquée par la maturation de la technologie et l'évolution des facteurs de demande.
Le monde carbure de siliciumL'industrie traverse une transformation majeure début 2026, caractérisée par une accélération des progrès technologiques, une augmentation substantielle des capacités de production dans de nombreuses régions et une réorientation notable de la demande, qui se détourne des véhicules électriques au profit des infrastructures de centres de données dédiées à l'intelligence artificielle. Malgré la persistance d'ajustements de marché à court terme, la tendance générale indique une expansion continue du marché, soutenue par la maturation des procédés de fabrication et l'élargissement des domaines d'application.
Étapes technologiques clés : Les substrats de 12 pouces passent de la R&D à la validation commerciale
L'industrie a connu des avancées significatives dans le développement de substrats de grand diamètre. Ces derniers mois, Luxiao Technology a annoncé la fabrication réussie d'un échantillon monocristallin de carbure de silicium de 12 pouces, achevant ainsi le développement et les tests complets du processus, de la croissance cristalline à la fabrication du substrat. Cette réussite fait suite à l'annonce par Wolfspeed, en janvier 2026, de sa propre production de plaquettes monocristallines de SiC de 300 mm (12 pouces), soulignant l'accélération du développement des technologies de grand diamètre à l'échelle mondiale.
Jingsheng Mechanical & Electrical a mis en place une ligne pilote pour le traitement de substrats en carbure de silicium de 12 pouces et a entamé la validation d'échantillons auprès de clients de la chaîne industrielle. Parallèlement, ses substrats en carbure de silicium de 8 pouces ont enregistré d'importantes commandes auprès de clients nationaux et internationaux, suite à une validation client positive. L'entreprise a également réalisé des avancées majeures dans le développement de substrats en carbure de silicium de qualité optique de 12 pouces et a lancé une production en petites séries.
L'entreprise a franchi une étape majeure dans le développement d'équipements essentiels pour le SiC avec la livraison réussie d'un système de croissance épitaxiale de carbure de silicium monocouche de 12 pouces à Han Tian Tian Cheng, un fabricant mondial de premier plan de plaquettes épitaxiales de SiC. Cette avancée technologique devrait permettre à la filière SiC de progresser vers des diamètres plus importants, une efficacité accrue et une complexité de fabrication réduite, contribuant ainsi à l'essor de l'autonomie et à la modernisation industrielle de la Chine dans le secteur des semi-conducteurs à large bande interdite.
Hefei Luxiao Semiconductor a également annoncé des progrès significatifs dans la recherche sur les substrats conducteurs en SiC de 8 pouces, indiquant que la qualité de ses cristaux atteint ou dépasse les normes industrielles courantes sur des paramètres clés tels que la densité des micropipes, la rugosité de surface, la densité de dislocations et l'uniformité de la distribution de la résistivité.
Structure du secteur : Évolution du leadership sur le marché et intensification de la concurrence
Le paysage concurrentiel du marché des substrats en carbure de silicium (SiC) a connu une profonde mutation. Selon un rapport de Fuji Keizai, SICC a atteint la première place mondiale du marché des substrats en carbure de silicium de 6 et 8 pouces en 2025, sa part de marché mondiale pour les produits de 8 pouces dépassant les 50 %. Ce succès marque un tournant et met fin à la domination de Wolfspeed, leader incontesté du secteur. Après avoir figuré régulièrement parmi les trois premiers mondiaux, SICC a gravi les échelons jusqu'à la deuxième place en 2024, puis la première en 2025, réalisant ainsi une ascension fulgurante en trois ans.
L'usine de Lingang à Shanghai de SICC, opérationnelle depuis mi-2023, a joué un rôle déterminant dans la transformation d'un long processus d'acquisition technologique en avantage concurrentiel. Face à une concurrence accrue sur le segment des écrans de 6 pouces, l'entreprise réoriente sa stratégie vers l'augmentation de sa capacité de production d'écrans de 8 pouces et l'amélioration de ses rendements, avec l'objectif d'accroître la part des produits de plus grand diamètre livrés afin d'optimiser sa gamme.
Acteurs internationaux : Repositionnement stratégique vers les centres de données d’IA
Wolfspeed a achevé la fermeture de son usine de fabrication de plaquettes de 150 mm à Durham avec un mois d'avance et prévoit de transférer intégralement sa production vers son usine de 200 mm de Mohawk Valley courant 2026. La direction a indiqué que, malgré les coûts de sous-utilisation à court terme engendrés par cette transition, les plaquettes de plus grand diamètre permettront de réduire les coûts unitaires de manière structurelle à long terme. Il est à noter que le chiffre d'affaires de Wolfspeed lié aux centres de données d'IA a doublé au cours des trois derniers trimestres, et l'entreprise prévoit de privilégier les solutions SiC adaptées aux architectures d'alimentation des serveurs d'IA en 2026, en ciblant la migration du marché des systèmes 400 V vers les systèmes 800 V.
Infineon s'est fixé un objectif de chiffre d'affaires de 1,5 milliard d'euros pour l'exercice 2026 lié à l'IA, avec l'ambition de le porter à 2,5 milliards d'euros d'ici 2027. Côté production, le module 3 de son site de Kulim, en Malaisie, dédié à la production de plaquettes de SiC de 200 mm, est entré dans sa phase de montée en puissance. L'entreprise a réaffirmé son objectif stratégique « 30-30 » visant à conquérir 30 % du marché mondial du SiC d'ici 2030.
STMicroelectronics continue de privilégier l'intégration verticale tout au long de la chaîne d'approvisionnement du SiC. Son usine intégrée de fabrication de substrats SiC à Catane, en Italie, devrait démarrer sa production en 2026. En Chine, la coentreprise avec San'an Optoelectronics a finalisé la validation de plusieurs produits et est entrée dans la phase de production à risque. Ce projet permettra d'atteindre une capacité annuelle d'environ 480 000 plaquettes de SiC de 8 pouces, principalement destinées aux puces de contrôle de puissance pour l'automobile.
Bosch a annoncé l'acquisition de TSI Semiconductors et un investissement de 1,5 milliard de dollars pour moderniser les lignes de production de l'usine afin de fabriquer des semi-conducteurs en carbure de silicium. Dès 2026, des plaquettes de 200 mm à base de carbure de silicium seront utilisées pour la fabrication des premières puces dans une usine dotée d'environ 10 000 mètres carrés de salles blanches. Bosch produit des puces SiC depuis 2021 sur son site de Reutlingen, en Allemagne, et prévoit un développement important de son offre mondiale de puces SiC d'ici fin 2030.
Développement des capacités nationales : des projets majeurs progressent
En Chine, plusieurs grands projets de fabrication de silicium carbure (SiC) ont franchi des étapes importantes. La ligne de production de puces de puissance en SiC de 8 pouces de Xiamen Silan Jihong est achevée et entrera en production d'essai au premier trimestre 2026. La première phase du projet représente un investissement total de 7 milliards de yuans et devrait atteindre une capacité de production annuelle de 420 000 plaquettes de SiC de 8 pouces à pleine capacité. Une deuxième phase, avec un investissement supplémentaire de 5 milliards de yuans, portera la capacité totale à 720 000 plaquettes par an.
La ligne de production de semi-conducteurs SiC de 8 pouces de CRRC Times Electric, située à Zhuzhou, a achevé l'installation des équipements et la qualification de la ligne d'ici fin 2025 et se prépare désormais à la production en série. Outre le marché automobile, l'entreprise prévoit d'étendre son offre aux produits 3 300 V et plus pour les applications industrielles.
Extension des applications : Au-delà des véhicules électriques
Le taux de pénétration du SiC a progressé de manière constante dans de nombreux secteurs d'application. Dans les véhicules à énergies nouvelles, la part des composants d'entraînement principaux en SiC a dépassé les 30 %. Dans le secteur photovoltaïque, l'adoption des diodes et des MOSFET en SiC dans les onduleurs de chaîne de plus de 200 kW a franchi la barre des 60 %. Pour les centres de données, l'architecture 800 V CC de NVIDIA a stimulé l'adoption à grande échelle du SiC associé au GaN dans les alimentations de classe Titanium de plus de 3 kW, avec un taux de pénétration atteignant 24 %.
Les applications du carbure de silicium (SiC) ne cessent de s'étendre. La croissance exponentielle de la puissance de calcul de l'IA induit une refonte révolutionnaire des architectures d'alimentation des centres de données, les transformateurs à courant continu haute tension (800 V) et les transformateurs statiques créant des opportunités de marché inédites. Dans le domaine de l'optique anti-réalité, les substrats SiC semi-isolants permettent des avancées majeures grâce à leur grande stabilité thermique et à leurs faibles caractéristiques de dispersion. En matière d'encapsulation avancée, les interposeurs SiC offrent un potentiel d'amélioration de la dissipation thermique, et les principaux acteurs du marché évaluent actuellement leur intégration dans des systèmes hétérogènes.
Trajectoire du marché mondial
Le marché mondial du carbure de silicium continue d'afficher de solides perspectives de croissance, comme le confirment de nombreuses études. Selon QYResearch, les ventes mondiales de semi-conducteurs SiC ont atteint 32,6 milliards de yuans en 2025 et devraient atteindre 131,16 milliards de yuans d'ici 2032, soit un taux de croissance annuel composé (TCAC) de 22,3 % entre 2026 et 2032. Fortune Business Insights a estimé le marché mondial du SiC à 5,77 milliards de dollars en 2025, avec des projections de croissance passant de 6,28 milliards de dollars en 2026 à 12,36 milliards de dollars d'ici 2034, soit un TCAC de 8,83 %. USD Analytics estime que le marché des plaquettes de carbure de silicium, évalué à 1,1 milliard de dollars en 2025, devrait atteindre 7,8 milliards de dollars d'ici 2035, avec un TCAC de 21,7 %.
Le groupe Yole prévoit que le taux d'utilisation des capacités de production en amont devrait diminuer pour atteindre environ 50 % d'ici 2025, tandis que la Chine s'est imposée comme la première région mondiale en termes d'investissements dans les équipements SiC. Les fournisseurs chinois d'équipements ont atteint un niveau de compétitivité comparable à celui de leurs concurrents internationaux en matière de croissance cristalline et d'épitaxie, même si les acteurs internationaux conservent leur leadership dans les domaines de l'amincissement, de la métrologie et de l'implantation ionique avancée.
Perspectives
À l'approche de 2026, plusieurs thèmes clés façonneront l'évolution du secteur. La transition de la fabrication de plaquettes de 6 pouces à celle de 8 pouces s'accélère, portée par les avantages économiques des plaquettes de plus grand diamètre et par des investissements soutenus dans les capacités de production, tant chez les acteurs établis que chez les nouveaux entrants. La demande pour les centres de données dédiés à l'IA contrebalance fortement le ralentissement à court terme du marché des véhicules électriques, et les principaux fournisseurs internationaux réorientent leurs stratégies produits en conséquence. Les fournisseurs chinois ont considérablement progressé sur le marché mondial, notamment dans la fabrication de substrats, tandis que les capacités de production nationales continuent de réduire l'écart avec les leaders internationaux. Les considérations réglementaires et environnementales influencent également la planification des capacités, les exigences de développement durable étant intégrées à la conception des installations et aux cadres opérationnels.